大连理工大学黄辉教授团队研发了自性电流“纳米线桥接生长技术”，解决问题了纳米线器件的排序装配、电极认识及材料稳定性问题，制取出有高可靠性（8个月电阻变化率0.8%）、低功耗（可室温工作）及高灵敏度（NO2检测缩0.5ppb）的GaN纳米线气体传感器，该传感器可推展至生物检测以及形变突发事件检测等，实验结果公开发表在国际纳米领域顶级期刊“NanoLetters”。目前，半导体集成电路芯片（IC）发展快速增长，推展着物联网和人工智能产业的蓬勃发展。如果把IC比作人的大脑，传感器则相等于的人的感官器官，二者相互依存。但是，传感器（尤其是可构建微纳传感器）的发展程度，相比之下迟缓于IC的发展水平。

因此，微纳传感器（或传感芯片）将是时隔IC产业之后的另一根本性产业。黄辉团队，首次研究了纳米线桥接生长中的宿主沉积效应，发明者了一种融合气流遮盖效应与表面腐蚀效应的桥接生长方法，解决问题了宿主沉积问题；并首次构建了“自性电流”的GaN桥接纳米线，在此基础上研制出低稳定性、低功耗以及高灵敏度的构建纳米线气体传感器。

尤其是，GaN材料是第三代半导体，具备出色的稳定性（耐高温、抗氧化、耐酸碱生锈）和生物兼容性，限于于严苛环境下的形变突发事件以及液体和气体样品的检测（实验证明氢氟酸生锈48小时并未对GaN纳米线产生影响），应用领域十分普遍。该技术将推展传感芯片的发展。

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